徐州其他二手儀器
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101臺(tái)原裝進(jìn)口日本島津液相色譜儀LC-2030Cplus型,島津紅外光譜儀IRAffinity-1s型,島津質(zhì)譜儀ICPMS-2030LF,全自動(dòng)溶出儀DS-812SAT。
出售新訂:新機(jī)器426萬美國原裝進(jìn)口沃特世液相質(zhì)聯(lián)質(zhì)譜儀Waters高分辨串聯(lián)質(zhì)譜儀SYnRPTG2-S屬于四級(jí)桿-飛行時(shí)間串聯(lián)質(zhì)譜儀,分辨率與靈敏度:分辨率高達(dá)50000FWHM、精確質(zhì)量數(shù)誤差
臺(tái)灣陽光SUNLILAB 170A 電話機(jī)自動(dòng)電聲測試儀(行業(yè)爆款機(jī)型) 核心用途 專門用來測試有線電話機(jī)、話柄聽筒、免提機(jī)型,是電話機(jī)生產(chǎn)線、質(zhì)檢車間標(biāo)配設(shè)備,可測回波損耗、阻抗、失真、串音、插入損耗,自動(dòng)判定OK/NG, 關(guān)鍵參數(shù) - 頻率范圍:100Hz~10KHz,支持國標(biāo)、美標(biāo)、臺(tái)標(biāo)切換-…
天瑞儀器 RoHS檢測 能量色散X熒光光譜儀EDX 4800H
全自動(dòng)工業(yè)分析儀 高度自動(dòng)化 采用進(jìn)口電子天平
高價(jià)收購島津二手實(shí)驗(yàn)儀器,液相色譜儀,總有機(jī)碳分析儀,原子吸收等
求購Raman SK100 美程 手持式拉曼光譜儀 緝毒檢測儀
二手北分瑞利WFX-130B原子吸收光譜儀
長期收購各種工控配件儀器儀表 環(huán)保設(shè)備,光電設(shè)備,自動(dòng)化設(shè)備
德國海德堡專業(yè)型灰度光刻機(jī) 高精密激光直寫設(shè)備
各類型號(hào)實(shí)驗(yàn)室儀器 SMC自動(dòng)化配件收購,梅特勒熔點(diǎn)測試儀
標(biāo)準(zhǔn)支持 200mm(8 英寸) 晶圓,部分配置可兼容 4 英寸 / 6 英寸 晶圓(需定制適配器)。沉積技術(shù)PECVD(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積):用于氮化硅(Si?N?)、氮氧化硅(SiON)等薄膜沉積。TEOS(四乙氧基硅烷)熱 CVD:用于氧化硅(SiO?)、磷硅玻璃(PSG)等介質(zhì)層制備?？伞?/span>
晶圓兼容性尺寸:以 8 英寸為主,兼容 6 英寸。厚度:典型范圍 300–1000 μm(需結(jié)合卡盤配置)。單 Cassette 容量:最多 25 片晶圓。自動(dòng)化與對(duì)準(zhǔn)自動(dòng)上下料:支持機(jī)械手臂自動(dòng)加載晶圓,集成預(yù)對(duì)準(zhǔn)與 OCR(光學(xué)字符識(shí)別)功能,可讀取晶圓刻號(hào)并自動(dòng)匹配測試程序。視覺對(duì)準(zhǔn):配備高低…
公司專業(yè)做二手實(shí)驗(yàn)室儀器銷售，出售各大品牌實(shí)驗(yàn)室儀器，島津，安捷倫，賽默飛，沃特世，吉天，普析，梅特勒，賽多利斯，東西等品牌實(shí)驗(yàn)室儀器。產(chǎn)品類型:二手氣相，液相，原子吸收，原子熒光，離子色譜儀，紅外，紫外，離心機(jī)，培養(yǎng)箱，電子天平，微波消解儀等實(shí)驗(yàn)室儀器。
測量范圍覆蓋幾納米至幾十微米的薄膜厚度,可檢測金屬膜(如鋁、銅)、介質(zhì)膜(如 SiO?、Si?N?)及化合物半導(dǎo)體膜層。部分二手設(shè)備資料顯示其測量上限可達(dá)30 微米,支持從超薄膜到厚膜的全范圍檢測。精度與分辨率納米級(jí)精度:誤差控制在**±1% 以內(nèi)**,尤其適用于芯片鈍化層、電極膜等對(duì)均勻性要求高的…
主軸系統(tǒng)額定功率:1.0kW(60,000 min?1 時(shí))最大轉(zhuǎn)速:60,000 轉(zhuǎn) / 分鐘扭矩:0.16 N?m主軸徑向剛性通過同步主軸技術(shù)優(yōu)化,適合高負(fù)荷切割。軸運(yùn)動(dòng)性能X 軸:切割范圍 210mm,進(jìn)刀速度 0.1-450mm/s(部分資料顯示 0.1-600mm/s,可能因刀片配置差異)…
1. 平臺(tái)與腔體配置晶圓尺寸:主流支持 4-8 英寸(100-200mm),部分型號(hào)(如 Mark II)可兼容 200mm。腔體類型:Chamber B:硅基介質(zhì)刻蝕(如 SiO?、SiN?)及碳基材料(光刻膠、聚酰亞胺),選擇性高,保護(hù)底層結(jié)構(gòu)。Chamber C:硅材料刻蝕(如多晶硅),對(duì) S…
加工范圍最大工件尺寸:φ200mm(8 英寸)晶圓,兼容 φ150mm 及以下尺寸。晶圓厚度范圍:支持 50-500μm 常規(guī)厚度,特殊工藝可處理更薄或更厚晶圓(如案例中 0.38mm 厚的碳化硅晶圓)。切割類型:支持硅、碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)、藍(lán)寶石等材料的劃片切割,適用于 IC 封…
1. 真空系統(tǒng)極限真空:優(yōu)于 1×10 ?6 Pa(配備渦輪分子泵和干泵組合)。前級(jí)泵:通常采用機(jī)械泵(如 ULVAC VDN 系列)快速抽至低真空,再由渦輪分子泵實(shí)現(xiàn)高真空。抽速:從大氣到 1×10 ?3 Pa 約需 10-15 分鐘。2. 靶材與基片靶材尺寸:標(biāo)準(zhǔn)配置支持 2 英寸圓形靶材,…
1. 晶圓處理能力尺寸范圍:支持 5 英寸、6 英寸、8 英寸(125-200mm)晶圓,部分配置可兼容 LCD 基板等特殊尺寸。厚度范圍:支持超薄晶圓(需選裝特殊轉(zhuǎn)移機(jī)制)。最大測試 Die 尺寸:0.25-100mm,間距精度達(dá) 0.1μm。2. 機(jī)械精度與運(yùn)動(dòng)性能定位精度:總體精度:±4μm(…
光源類型:早期版本(如 Gen3):部分型號(hào)使用 350W 高壓汞燈(寬帶光,350-450nm),光強(qiáng)約 8-9 mW/cm2,均勻性≤±3%。曝光模式:支持真空接觸(分辨率最高)、軟接觸、硬接觸及接近式曝光,適應(yīng)不同工藝需求:真空接觸:分辨率達(dá) 0.8μm(膠厚 1μm 時(shí)),適用于高精度圖形轉(zhuǎn)…
最小可檢測缺陷尺寸系統(tǒng)采用深紫外(DUV)光源和優(yōu)化光學(xué)架構(gòu),可檢測 40nm 以下的細(xì)微缺陷,尤其擅長識(shí)別影響 28nm 及更小制程節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵缺陷,如拋光痕跡、晶體凹坑、薄膜空隙等。不同應(yīng)用場景下的具體靈敏度有所差異:基礎(chǔ)配置:支持 23nm 缺陷檢測(對(duì)應(yīng) 2Xnm-3Xnm 設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn))。極限能…
1. 檢測范圍與靈敏度顆粒尺寸:可檢測直徑 ≥ 0.24 μm 的光點(diǎn)缺陷,對(duì) ≥ 0.2 μm 的顆粒具有明確靈敏度。該指標(biāo)適用于早期工藝節(jié)點(diǎn)(如微米級(jí)制程)的顆粒檢測需求,尤其針對(duì)較大顆粒(如漿料殘留、機(jī)械劃痕等)的篩查效果顯著。檢測類型:主要識(shí)別表面顆粒、劃痕、空洞等物理缺陷,通過激光散射原理…
1. 硬件架構(gòu)與晶圓處理晶圓尺寸:主流支持200mm(部分設(shè)備標(biāo)稱可擴(kuò)展至 300mm,但需以原廠配置為準(zhǔn))。腔體設(shè)計(jì):多腔室模塊化平臺(tái),最多可安裝 6 個(gè)工藝腔體,刻蝕腔體類型包括:DPS Poly:用于多晶硅刻蝕;DPS metal:針對(duì)金屬材料(如鋁、銅)刻蝕;eMax/Super-E:適…
一、光學(xué)與成像系統(tǒng)光源與波長采用 i-line 準(zhǔn)分子激光(365nm),屬于深紫外(DUV)光源的一種,適合光刻 0.35μm 及以上的特征尺寸。分辨率與數(shù)值孔徑(NA)典型分辨率為 0.35μm(部分資料提到 0.4μm,可能因測試條件或版本差異)。最大數(shù)值孔徑(NA)為 0.63,通過高 NA…
1. 檢測能力靈敏度:典型靈敏度為 60–80 nm(斜入射通道,DWO),適用于光滑表面(如裸硅、氧化層)。高靈敏度模式下可檢測至 60 nm(如亞微米顆粒),而正常入射通道(DWN)靈敏度約為 83 nm。霧度(Haze)檢測靈敏度達(dá) 0.005 ppm,可量化晶圓表面的均勻性缺陷。缺陷類型:支…
雙源設(shè)計(jì)采用雙 X 射線源系統(tǒng),集成兩種激發(fā)模式以覆蓋更廣泛的元素檢測范圍:W-Lβ 源:9kW 旋轉(zhuǎn)陽極,波長 9.67 keV,適用于輕至中重元素(如 S、Cl、K、Ca、Ti、Cr、Fe、Ni、Cu、Zn、Pb 等)的高靈敏度檢測。Mo-Kα 源:2kW 密封管,波長 17.5 keV,針對(duì)重…
加工能力最大加工尺寸:Φ300mm 晶圓主軸配置:對(duì)向式雙主軸設(shè)計(jì),通過縮短主軸間距實(shí)現(xiàn)雙刀同步切割,相比前代機(jī)型生產(chǎn)效率提升約 7%。切割速度:X 軸進(jìn)刀速度范圍 0.1-1,000mm/s,支持高速切割與精密微調(diào)。定位精度:Y 軸最小步進(jìn)量達(dá) 0.0001mm,定位精度≤0.002mm/310m…
1. 光學(xué)系統(tǒng)與分辨率光源類型:i-line 紫外光源,波長 365 nm。數(shù)值孔徑 (NA):0.63,支持高分辨率圖案轉(zhuǎn)移。分辨率:標(biāo)準(zhǔn)配置下 0.4 μm(線寬與間距),適用于 0.45 μm 及以上制程節(jié)點(diǎn)。部分改進(jìn)型配置可實(shí)現(xiàn) 0.35 μm 分辨率(如 NSR-2205i11D 后續(xù)版本…
主軸系統(tǒng)轉(zhuǎn)速范圍:3,000–40,000 rpm(標(biāo)準(zhǔn)模式),可根據(jù)材料調(diào)整(如硅片常用 23,000–36,000 rpm,玻璃 / 陶瓷建議 25,000 rpm 以下)。功率:1.5 kW(空氣主軸),支持高扭矩切割。刀片適配:標(biāo)準(zhǔn)直徑 φ58 mm,可兼容 φ2" 刀片,刀刃寬度 15–3…
晶圓兼容性支持 6 英寸(150mm)和 8 英寸(200mm)晶圓加工?？商幚砉?Si)、碳化硅(SiC)、藍(lán)寶石等硬脆材料。晶圓厚度范圍:1mm 以上(標(biāo)準(zhǔn)配置),可通過工藝優(yōu)化實(shí)現(xiàn)更薄厚度(如數(shù)十微米)。電源與功耗輸入電源:AC 200V,50/60Hz,3 相,總功率需求17kVA。接地標(biāo)準(zhǔn)…
出售半導(dǎo)體設(shè)備Entegris N2純化系統(tǒng),有需要聯(lián)系我,微同手機(jī)號(hào)
出售半導(dǎo)體設(shè)備DISCO DFD6361切割機(jī),有需要聯(lián)系我,微同手機(jī)號(hào)
加工范圍晶圓尺寸:支持 4 英寸至 8 英寸(100mm~200mm)晶圓切割。切割道寬度:最小可處理 40μm 的精細(xì)切割道,常規(guī)范圍為 60~80μm。切割深度:全切模式可完全穿透晶圓,半切模式保留約 1/4 厚度(具體深度根據(jù)晶圓厚度調(diào)整,例如 700μm 晶圓減薄至 400μm 后,切割深度…
晶圓尺寸兼容性支持 100mm、125mm 和 150mm 晶圓,適用于早期半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)(如微米級(jí)制程)的量產(chǎn)需求。束流特性離子種類:可處理多種離子(如 B、P、As 等),但具體離子束流強(qiáng)度因離子類型而異。例如,硼離子(B?)典型束流約為 5 mA,砷離子(As?)可達(dá) 10 mA。能量范圍:根…
出售半導(dǎo)體設(shè)備DISCO DAD322晶圓切割機(jī),有需要聯(lián)系我,微同手機(jī)號(hào)
出售半導(dǎo)體設(shè)備TEL P-12XL探針臺(tái),有需要聯(lián)系我,微同手機(jī)號(hào)
溫度控制:覆蓋 300-1450°C 寬溫區(qū),例如:CCS 3×2" FT 系統(tǒng)支持 1450°C 超高溫工藝,適用于 AlN 等高溫材料;Aix 2600G3 常規(guī)溫度范圍為 300-1200°C,滿足 GaN、GaAs 等主流材料需求。壓力調(diào)節(jié):反應(yīng)室壓力通常在 20-1000mbar 之間,如…
出售二手半導(dǎo)體設(shè)備ACCRETECH UF3000EXE探針臺(tái),有需要聯(lián)系我,微同手機(jī)號(hào)
鎖模力:參考 Fico AMS 系列設(shè)備,如 AMSW 型號(hào)的鎖模力通常在 450-900 kN(45-90 噸)之間。例如,Fico MMS-i 的鎖模力為 900 kN(90 噸),而 Fico AMS-W 為 450 kN(45 噸)。若 AMSW40306 屬于該系列,可能在此范圍內(nèi)。模具尺…
電氣特性輸入電壓:208-480V AC(三相),支持寬電壓范圍以適應(yīng)工業(yè)環(huán)境。功率范圍:100W 至 3000W,覆蓋實(shí)驗(yàn)室到量產(chǎn)場景。頻率支持:固定或可選頻率(如 13.56MHz、2MHz),支持雙頻模式優(yōu)化等離子體控制。動(dòng)態(tài)響應(yīng):響應(yīng)時(shí)間小于 200ms,適應(yīng)等離子體阻抗快速變化的工藝。輸出…
出售半導(dǎo)體設(shè)備TERADYNE IP750EX測試系統(tǒng),有需要聯(lián)系我,微同手機(jī)號(hào)
1. 等離子體控制技術(shù)雙頻射頻(RF)系統(tǒng):獨(dú)立調(diào)控 2MHz(離子能量)和 60MHz(離子密度)射頻源,平衡各向異性蝕刻與材料選擇性,適用于高深寬比結(jié)構(gòu)(如 3D NAND 的垂直孔蝕刻)。典型應(yīng)用:在 3D NAND 制造中實(shí)現(xiàn) 100:1 以上深寬比,側(cè)壁陡直度 > 88°,關(guān)鍵尺寸偏差(C…
光源與波長采用i-line 準(zhǔn)分子激光光源,波長為365 nm。該波長屬于紫外線光譜,適用于 0.35 微米及以上制程,兼顧分辨率與工藝窗口穩(wěn)定性,尤其適合邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片及 MEMS 器件的量產(chǎn)。分辨率與數(shù)值孔徑(NA)分辨率:通過優(yōu)化光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn) **0.45 μm L&S(線寬與間距)…
半導(dǎo)體設(shè)備ACCRETECH TSK UF2000探針臺(tái)出售,有需要聯(lián)系我,微同手機(jī)號(hào)
半導(dǎo)體設(shè)備KOKUSAI DD-803V擴(kuò)散爐出售,有需要聯(lián)系我,微同手機(jī)號(hào)
晶圓兼容性支持 300mm(12 英寸)晶圓量產(chǎn),部分配置可能兼容 200mm(8 英寸)晶圓。采用全自動(dòng)傳輸系統(tǒng),實(shí)現(xiàn) Cassette-to-Cassette 無人化操作,每小時(shí)可處理 40 片以上晶圓。等離子體技術(shù)搭載增強(qiáng)型電感耦合等離子體(ICP)系統(tǒng),等離子體密度范圍達(dá) 1011-1013…
加工范圍晶圓尺寸:標(biāo)準(zhǔn)支持 φ8 英寸(200mm)晶圓或 250mm×250mm 方形工件,特殊選配可擴(kuò)展至 φ300mm 晶圓(需定制)。最小工件:兼容 5mm×5mm 的不規(guī)則樣品。切割深度:硅片最大 1.5mm,玻璃切割深度需根據(jù)刀片配置調(diào)整。切割能力主軸功率:標(biāo)配 1.8kW 主軸(適合常…
出售半導(dǎo)體設(shè)備KLA SURFSCAN SFS6200晶圓檢測系統(tǒng),有需要聯(lián)系我,微同手機(jī)號(hào)
