描述：

一、光學與成像系統(tǒng)

光源與波長

采用 i-line 準分子激光(365nm),屬于深紫外(DUV)光源的一種,適合光刻 0.35μm 及以上的特征尺寸。

分辨率與數(shù)值孔徑(NA)

典型分辨率為 0.35μm(部分資料提到 0.4μm,可能因測試條件或版本差異)。

最大數(shù)值孔徑(NA)為 0.63,通過高 NA 光學系統(tǒng)提升成像對比度和細節(jié)還原能力。

曝光范圍

標準曝光場為 22mm × 22mm,支持 5 英寸或 6 英寸掩模版(Reticle),可通過縮小倍率(5:1)實現(xiàn)高精度圖案轉移。

部分配置支持非對稱曝光場(如 17.9mm × 25.2mm),適配特殊掩模版設計。

二、對準與精度控制

對準精度

LSA(激光掃描對準):60nm

FIA(熒光圖像對準):70nm

部分資料顯示更優(yōu)指標(如 3σ ≤ 40nm),可能涉及設備狀態(tài)或升級配置。

套刻精度(Overlay)

多層圖案疊加精度可達 ≤55nm,滿足成熟制程對多晶硅、金屬互連等關鍵層的套刻要求。

焦點控制

焦點穩(wěn)定性為 3σ ≤ 0.09μm,通過動態(tài)調焦系統(tǒng)補償晶圓表面起伏。

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