描述：

測量范圍

覆蓋幾納米至幾十微米的薄膜厚度,可檢測金屬膜(如鋁、銅)、介質(zhì)膜(如 SiO?、Si?N?)及化合物半導體膜層。部分二手設(shè)備資料顯示其測量上限可達30 微米,支持從超薄膜到厚膜的全范圍檢測。

精度與分辨率

納米級精度:誤差控制在**±1% 以內(nèi)**,尤其適用于芯片鈍化層、電極膜等對均勻性要求高的場景。

高分辨率:部分技術(shù)資料提到分辨率可達0.1 納米,可滿足亞波長納米結(jié)構(gòu)的測量需求。

測量技術(shù)

采用光譜反射法(Spectroscopic Reflectometry),通過分析 400-800nm 波長范圍內(nèi)的反射光譜,結(jié)合光學模型反演薄膜厚度和折射率。部分型號支持橢圓偏振法,可同時測量多層膜的光學常數(shù)和厚度。

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