描述：

1. 等離子體控制技術(shù)

雙頻射頻(RF)系統(tǒng):

獨立調(diào)控 2MHz(離子能量)和 60MHz(離子密度)射頻源,平衡各向異性蝕刻與材料選擇性,適用于高深寬比結(jié)構(gòu)(如 3D NAND 的垂直孔蝕刻)。

典型應(yīng)用:在 3D NAND 制造中實現(xiàn) 100:1 以上深寬比,側(cè)壁陡直度 > 88°,關(guān)鍵尺寸偏差(CD Variation)<1nm。

自適應(yīng)工藝控制(APC):

集成實時傳感器與閉環(huán)反饋系統(tǒng),動態(tài)調(diào)整氣體流量、壓力、射頻功率,確保晶圓內(nèi)及批次間均勻性(Uniformity <2%)。

案例:在 FinFET 鰭片蝕刻中,線邊緣粗糙度(LER)可控制在 < 1.5nm,滿足 5nm 以下節(jié)點要求。

2. 氣體與化學(xué)兼容性

多氣體組合:

氟基(CF?、BCl?)、氯基(Cl?)、HBr 及 H?等氣體的靈活配比,覆蓋多晶硅、氮化硅、氧化物的選擇性蝕刻。

典型工藝:多晶硅蝕刻中,CF?/O?混合氣體可實現(xiàn) 80nm/min 的蝕刻速率,同時對氧化硅的選擇比 > 10:1。

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