描述：

1. 檢測(cè)能力

靈敏度:

典型靈敏度為 60–80 nm(斜入射通道,DWO),適用于光滑表面(如裸硅、氧化層)。

高靈敏度模式下可檢測(cè)至 60 nm(如亞微米顆粒),而正常入射通道(DWN)靈敏度約為 83 nm。

霧度(Haze)檢測(cè)靈敏度達(dá) 0.005 ppm,可量化晶圓表面的均勻性缺陷。

缺陷類型:

支持檢測(cè)顆粒、劃痕、滑移線、凹坑、凸點(diǎn)、霧度等多種表面缺陷,并通過實(shí)時(shí)缺陷分類(RTDC)技術(shù)自動(dòng)區(qū)分缺陷類型。

2. 晶圓兼容性

尺寸范圍:

支持 150–300 mm(6–12 英寸)晶圓,部分配置可兼容 2 英寸 晶圓。

晶圓厚度范圍:625–775 μm,部分型號(hào)支持至 1500 μm(如 200 mm 襯底)。

翹曲度容差:≤ 75 μm(200 mm 晶圓)。

處理方式:

支持單晶圓真空或氣動(dòng)傳輸(Puck Handling),兼容 SMIF 標(biāo)準(zhǔn)卡匣(需選配),可集成至半導(dǎo)體產(chǎn)線自動(dòng)化系統(tǒng)。

此貼長(zhǎng)期有效，聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)說明是從處理網(wǎng)看到的。