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電子槍類型:冷場發(fā)射電子源(Cold Field Emission Gun, CFEG),發(fā)射面積小、能量集中,壽命可達 5 年以上。加速電壓:0.5–30 kV(0.1 kV / 步連續(xù)可調(diào)),支持低電壓模式(如 1 kV)觀察絕緣樣品。分辨率二次電子像(SEI):15 kV 時:1.0 nm(標…
電子槍采用冷場發(fā)射(CFE)電子源,具有極小的源尺寸(
電子槍:冷場發(fā)射電子槍(Cold Field Emission Gun),亮度高達~2×10? A/cm2/sr,能量分散僅 0.2-0.3 eV。分辨率:二次電子像:15 kV 時≤1.5 nm(工作距離 12 mm);1 kV 時≤2.1 nm(工作距離 2.5 mm)。背散射電子像:1 kV …
分辨率低電壓模式:1.0 nm(1 kV 加速電壓),適用于脆弱材料或表面敏感樣品的無損觀察。高電壓模式:0.8 nm(30 kV 加速電壓),可實現(xiàn)納米級精細結構成像。CD 測量分辨率:5 nm(50 ?),在 0.8 kV 加速電壓下測試(參考分辨率專用標樣)。放大倍數(shù)SEM 圖像:5× 至 1…
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材料體系與應用場景設備支持 GaN、InGaN、AlGaN、InP、GaAs 等 III-V 族化合物半導體材料的外延生長,尤其在氮化鎵(GaN)功率器件、藍光 / 綠光 LED、5G 射頻器件及半極性 GaN 結構等領域表現(xiàn)突出。例如,其可穩(wěn)定生長位錯密度低至 10? cm?2 的 GaN 外延層…
電子槍類型:冷場發(fā)射型(Cold Field Emission Gun),具備高亮度(~2×10? A/cm2/sr)和低能量發(fā)散(0.2-0.3 eV)。分辨率:15 kV 加速電壓:≤1.5 nm(工作距離 12 mm);1 kV 加速電壓:≤2.1 nm(部分文獻標注為 2.5 nm,可能受工…
樣品兼容性晶圓尺寸:支持 6 英寸、8 英寸標準晶圓,可選配 2-5 英寸特殊載具。樣品厚度:0.4 mm 至 1 mm(兼容常規(guī)晶圓)。最大樣品局部尺寸:Φ150 mm(適配晶圓局部檢測)。樣品臺移動范圍:X-Y 軸行程 200 mm,支持高速定位(最大速度 50 mm/s)。定位精度:±0.1 …
一、光學系統(tǒng)與物鏡配置光學設計:采用無限遠校正光學系統(tǒng)(Infinity-Corrected Optics),支持高品質成像與多種觀察方法(如明場、暗場、熒光等)。物鏡范圍:兼容 10x 至 100x 物鏡,覆蓋常規(guī)檢測到高分辨率觀察需求。電動載物臺:XY 移動范圍≥114mm×75mm,定位精度≤…
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核心參數(shù):光源:采用 LED 光源,光強與 100W 鹵素燈相當,光譜覆蓋紫外到可見光范圍,支持熒光觀察所需的藍 / 綠 / 紫外激發(fā)。物鏡系統(tǒng):UIS2 系列物鏡,數(shù)值孔徑(NA)最高達 1.4(油浸),支持復消色差校正,可消除紫色色差,提升圖像對比度和色彩準確性。提供多種物鏡選擇,如平場消色差物…
電子槍采用優(yōu)化的冷場發(fā)射(CFE)電子槍,在低電壓下仍能保持高亮度和低像差,適合納米級表面結構觀察。分辨率二次電子像(SEI)分辨率:15 kV 加速電壓下:0.6–0.7 nm(部分文獻標注為 0.7 nm)。1 kV 加速電壓下:0.7–0.9 nm(不同測試條件下略有差異)。減速模式(減速電壓…
電子槍:肖特基發(fā)射類型(Schottky emission),提供高亮度、低能量發(fā)散的電子束,確保納米級分辨率。加速電壓:500V 至 1,600V(部分來源顯示為 0.5kV 至 1.3kV,可能因配置差異),支持 10V 步進調(diào)節(jié),適用于不同導電特性的樣品。分辨率:二次電子像(SEI)分辨率達 …
物鏡配置標準物鏡:常見配置包括 4x(NA 0.13)、10x(D Plan,NA 0.25)、20x(S Plan,NA 0.46)、40x(S Plan,NA 0.70)、50x(油鏡,NA 0.80)及 100x(S Plan 油鏡,NA 1.30)。部分型號(如 BH2-UMA)可選明暗場物…
一、光學性能放大能力基礎參數(shù):放大倍數(shù)范圍為50-1000 倍可調(diào),支持手動或電動連續(xù)變焦,可靈活適應不同檢測精度需求。細節(jié)捕捉:最小可識別1μm 級缺陷(約為頭發(fā)絲直徑的 1/60),能夠清晰觀察晶圓表面的顆粒污染、劃痕及圖形變形等微觀問題。觀察模式:支持 ** 明場(Brightfield)和暗…
1. 分辨率與成像性能二次電子(SE)成像:30kV 高真空模式下分辨率達3.0nm,低電壓優(yōu)化模式(0.8kV)下為2.0nm(CD-SEM 典型值)。1kV 低電壓性能下分辨率提升至0.7nm,適合半導體器件的精細觀察。背散射電子(BSE)成像:30kV 低真空模式下分辨率為4.0nm。特殊配置…
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晶圓兼容性支持 200mm(8 英寸)和 300mm(12 英寸)晶圓的高精度檢測,可適配小批量研發(fā)與產(chǎn)線大規(guī)模抽檢場景。放大能力基礎參數(shù):放大倍數(shù)范圍為 50-1000 倍可調(diào),通過手動或電動方式實現(xiàn)連續(xù)變焦。細節(jié)捕捉:最小可識別 1μm 級缺陷(約為頭發(fā)絲直徑的 1/60),適用于光刻后圖形缺陷…
加速電壓范圍常規(guī)模式:0.3–30 kV(覆蓋低電壓至高電壓應用)。低電壓優(yōu)化:支持 0.8 kV 操作,適用于敏感材料或低損傷分析。電壓穩(wěn)定性:≤1 ppm/min(峰峰值),確保長期測量精度。分辨率二次電子(SE)模式:30 kV 高真空下:3.0 nm。0.8 kV 時:2.0 nm(CD-S…
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