描述：

材料體系與應用場景

設備支持 GaN、InGaN、AlGaN、InP、GaAs 等 III-V 族化合物半導體材料的外延生長,尤其在氮化鎵(GaN)功率器件、藍光 / 綠光 LED、5G 射頻器件及半極性 GaN 結(jié)構(gòu)等領(lǐng)域表現(xiàn)突出。例如,其可穩(wěn)定生長位錯密度低至 10? cm?2 的 GaN 外延層,并支持量子阱層數(shù)超過 20 層的復雜結(jié)構(gòu)。

溫度控制能力

基礎(chǔ)范圍:采用射頻(RF)感應加熱的石墨基座系統(tǒng),標準溫度范圍為 300-1200°C,升溫速率超過 50°C / 秒。

HT(高溫)特性:針對碳化硅(SiC)等高溫材料需求,HT 版本可擴展至 1500°C,控溫精度達 ±1°C,支持梯度溫度工藝。

實時監(jiān)測:集成紅外測溫系統(tǒng),實時監(jiān)測晶圓表面溫度,精度 ±1°C,確保工藝穩(wěn)定性。

氣體分配與流量控制

氣體均勻性:采用專利的 Close Coupled Showerhead(CCS)技術(shù),結(jié)合層流氣體分布設計,實現(xiàn)前驅(qū)體氣體的均勻擴散,確保膜厚均勻性在 ±1.5% 以內(nèi),波長均勻性(LED 應用)達 ±1%。

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