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TESCAN VEGA3型掃描電子纖維鏡,2020年采購新機(jī),當(dāng)前9成新,維護(hù)保養(yǎng)良好。TESCAN VEGA3型鎢燈絲掃描電子顯微鏡用于常規(guī)成像與分析Tescan VEGA ?是一款緊湊型無孔徑光闌掃描電子顯微鏡系統(tǒng),主打簡便易用,具備高分辨率成像功能。憑借 Wide Field Optics? …
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賽默飛是一家在科學(xué)儀器等領(lǐng)域具有重要地位和影響力的公司,其在技術(shù)、產(chǎn)品等方面處于行業(yè)前沿?;窗哺粎R電子通過緊跟賽默飛,能夠及時(shí)了解行業(yè)動(dòng)態(tài)和技術(shù)發(fā)展趨勢,確保自身在技術(shù)進(jìn)步方面不落后,從而更好地適應(yīng)市場需求和行業(yè)發(fā)展。FEI / 賽默飛 FIB(聚焦離子束)系列配件、組件和耗材的優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商。FIB …
無論是復(fù)雜精密的 DSGS/HT、HTSU 等電路板,還是像 17135/16830 離子源、Suppressor 抑制極、Extractor 拔出極這樣的核心組件,在這里都能一站式配齊。無論您的電鏡是處于日常維護(hù)階段,還是面臨關(guān)鍵部件的升級換代,又或是突發(fā)故障急需更換配件,淮安富匯電子都能憑借深厚…
作為一種先進(jìn)的微觀分析和微納加工設(shè)備-SEM FIB ,廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、半導(dǎo)體、納米技術(shù)等眾多高精尖領(lǐng)域。而淮安富匯電子所提供的配件,就如同 SEM FIB 的 “心臟”,為設(shè)備的運(yùn)行提供著源源不斷的動(dòng)力;又似其 “大腦”,精準(zhǔn)地控制著設(shè)備的各項(xiàng)功能,確保其高效、穩(wěn)定地工作?;窗哺粎R電子產(chǎn)品:雙…
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淮安富匯電子官網(wǎng)產(chǎn)品:雙束掃描電鏡,掃描電鏡FEG,聚焦離子束電鏡,掃描電鏡W,桌面型掃描電鏡,電鏡主板,電/離子源,電鏡零件,能譜儀。以及pcb設(shè)計(jì),電路設(shè)計(jì)宇航級,電路設(shè)計(jì)工業(yè)級,芯片設(shè)計(jì),電子元件,電源,金屬件設(shè)計(jì)加工,非標(biāo)真空件設(shè)計(jì)加工。在高端電鏡設(shè)備領(lǐng)域, FEI / 賽默飛電鏡以其卓越的…
掃描電鏡型號(hào):Strata 400/Helios NanoLab 400/400S/450S/600i。除了供應(yīng)配件等,還提供儀器維護(hù)服務(wù)。這意味著淮安富匯電子不僅關(guān)注產(chǎn)品的銷售,還注重為客戶提供后續(xù)的支持和服務(wù),幫助客戶確保儀器設(shè)備的良好運(yùn)行狀態(tài),延長設(shè)備使用壽命,提高設(shè)備的使用效率和效益。這種一…
供應(yīng)賽默飛FIB/FEI掃描電鏡型號(hào):Strata 400/Helios NanoLab 400/400S/450S/600i,系列配件、組件和耗材的優(yōu)質(zhì)供應(yīng)以及儀器維護(hù) 淮安富匯電子
基恩士熒光顯微鏡 定量熒光測定
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電子槍類型:冷場發(fā)射電子源(Cold Field Emission Gun, CFEG),發(fā)射面積小、能量集中,壽命可達(dá) 5 年以上。加速電壓:0.5–30 kV(0.1 kV / 步連續(xù)可調(diào)),支持低電壓模式(如 1 kV)觀察絕緣樣品。分辨率二次電子像(SEI):15 kV 時(shí):1.0 nm(標(biāo)…
淮安富匯電子有限公司出售FIB加工/電路修改/FIB切線/FIB連線/鋁線路互連/銅線路互連/金線路互連/FIB200/FIB800/FEI DB235。電鏡型號(hào):Strata 400/Helios NanoLab 400/400S/450S/600i。
電子槍采用冷場發(fā)射(CFE)電子源,具有極小的源尺寸(
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二手電鏡測試系統(tǒng), 高嶺土掃描電鏡測試,CMA檢測機(jī)構(gòu)
日立臺(tái)式電鏡TM4000/TM4000Plus 高分辨高
材料體系與應(yīng)用場景設(shè)備支持 GaN、InGaN、AlGaN、InP、GaAs 等 III-V 族化合物半導(dǎo)體材料的外延生長,尤其在氮化鎵(GaN)功率器件、藍(lán)光 / 綠光 LED、5G 射頻器件及半極性 GaN 結(jié)構(gòu)等領(lǐng)域表現(xiàn)突出。例如,其可穩(wěn)定生長位錯(cuò)密度低至 10? cm?2 的 GaN 外延層…
電子槍類型:冷場發(fā)射型(Cold Field Emission Gun),具備高亮度(~2×10? A/cm2/sr)和低能量發(fā)散(0.2-0.3 eV)。分辨率:15 kV 加速電壓:≤1.5 nm(工作距離 12 mm);1 kV 加速電壓:≤2.1 nm(部分文獻(xiàn)標(biāo)注為 2.5 nm,可能受工…
樣品兼容性晶圓尺寸:支持 6 英寸、8 英寸標(biāo)準(zhǔn)晶圓,可選配 2-5 英寸特殊載具。樣品厚度:0.4 mm 至 1 mm(兼容常規(guī)晶圓)。最大樣品局部尺寸:Φ150 mm(適配晶圓局部檢測)。樣品臺(tái)移動(dòng)范圍:X-Y 軸行程 200 mm,支持高速定位(最大速度 50 mm/s)。定位精度:±0.1 …
keyence基恩士顯微鏡VHX-7000N日
一、光學(xué)系統(tǒng)與物鏡配置光學(xué)設(shè)計(jì):采用無限遠(yuǎn)校正光學(xué)系統(tǒng)(Infinity-Corrected Optics),支持高品質(zhì)成像與多種觀察方法(如明場、暗場、熒光等)。物鏡范圍:兼容 10x 至 100x 物鏡,覆蓋常規(guī)檢測到高分辨率觀察需求。電動(dòng)載物臺(tái):XY 移動(dòng)范圍≥114mm×75mm,定位精度≤…
二手HITACHI SU-9000掃描電鏡出售,有需要私我,微同手機(jī)號(hào)
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核心參數(shù):光源:采用 LED 光源,光強(qiáng)與 100W 鹵素?zé)粝喈?dāng),光譜覆蓋紫外到可見光范圍,支持熒光觀察所需的藍(lán) / 綠 / 紫外激發(fā)。物鏡系統(tǒng):UIS2 系列物鏡,數(shù)值孔徑(NA)最高達(dá) 1.4(油浸),支持復(fù)消色差校正,可消除紫色色差,提升圖像對比度和色彩準(zhǔn)確性。提供多種物鏡選擇,如平場消色差物…
電子槍采用優(yōu)化的冷場發(fā)射(CFE)電子槍,在低電壓下仍能保持高亮度和低像差,適合納米級表面結(jié)構(gòu)觀察。分辨率二次電子像(SEI)分辨率:15 kV 加速電壓下:0.6–0.7 nm(部分文獻(xiàn)標(biāo)注為 0.7 nm)。1 kV 加速電壓下:0.7–0.9 nm(不同測試條件下略有差異)。減速模式(減速電壓…
電子槍:肖特基發(fā)射類型(Schottky emission),提供高亮度、低能量發(fā)散的電子束,確保納米級分辨率。加速電壓:500V 至 1,600V(部分來源顯示為 0.5kV 至 1.3kV,可能因配置差異),支持 10V 步進(jìn)調(diào)節(jié),適用于不同導(dǎo)電特性的樣品。分辨率:二次電子像(SEI)分辨率達(dá) …
物鏡配置標(biāo)準(zhǔn)物鏡:常見配置包括 4x(NA 0.13)、10x(D Plan,NA 0.25)、20x(S Plan,NA 0.46)、40x(S Plan,NA 0.70)、50x(油鏡,NA 0.80)及 100x(S Plan 油鏡,NA 1.30)。部分型號(hào)(如 BH2-UMA)可選明暗場物…
一、光學(xué)性能放大能力基礎(chǔ)參數(shù):放大倍數(shù)范圍為50-1000 倍可調(diào),支持手動(dòng)或電動(dòng)連續(xù)變焦,可靈活適應(yīng)不同檢測精度需求。細(xì)節(jié)捕捉:最小可識(shí)別1μm 級缺陷(約為頭發(fā)絲直徑的 1/60),能夠清晰觀察晶圓表面的顆粒污染、劃痕及圖形變形等微觀問題。觀察模式:支持 ** 明場(Brightfield)和暗…
1. 分辨率與成像性能二次電子(SE)成像:30kV 高真空模式下分辨率達(dá)3.0nm,低電壓優(yōu)化模式(0.8kV)下為2.0nm(CD-SEM 典型值)。1kV 低電壓性能下分辨率提升至0.7nm,適合半導(dǎo)體器件的精細(xì)觀察。背散射電子(BSE)成像:30kV 低真空模式下分辨率為4.0nm。特殊配置…
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二手電鏡測試系統(tǒng),掃描電鏡下用的原位拉伸臺(tái) 紅外光譜儀原位測試
晶圓兼容性支持 200mm(8 英寸)和 300mm(12 英寸)晶圓的高精度檢測,可適配小批量研發(fā)與產(chǎn)線大規(guī)模抽檢場景。放大能力基礎(chǔ)參數(shù):放大倍數(shù)范圍為 50-1000 倍可調(diào),通過手動(dòng)或電動(dòng)方式實(shí)現(xiàn)連續(xù)變焦。細(xì)節(jié)捕捉:最小可識(shí)別 1μm 級缺陷(約為頭發(fā)絲直徑的 1/60),適用于光刻后圖形缺陷…
加速電壓范圍常規(guī)模式:0.3–30 kV(覆蓋低電壓至高電壓應(yīng)用)。低電壓優(yōu)化:支持 0.8 kV 操作,適用于敏感材料或低損傷分析。電壓穩(wěn)定性:≤1 ppm/min(峰峰值),確保長期測量精度。分辨率二次電子(SE)模式:30 kV 高真空下:3.0 nm。0.8 kV 時(shí):2.0 nm(CD-S…
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