描述：

電子槍

采用冷場發(fā)射(CFE)電子源,具有極小的源尺寸(<1 nm)和極低的能量發(fā)散(<0.3 eV),確保高亮度電子束輸出,支撐亞納米級分辨率成像。

分辨率

二次電子(SE):

30 kV 時達到 0.4 nm(晶格分辨率),可清晰觀察半導體器件的納米級結(jié)構(gòu)。

1 kV 時為 1.2 nm,通過可選的減速技術(shù)(Deceleration Mode)可進一步提升至 0.8 nm,適用于低電壓下對電子束敏感樣品的高分辨觀察。

透射電子(STEM):

30 kV 時 STEM 明場(BF)分辨率達 0.34 nm,可實現(xiàn)原子級晶格成像,例如石墨層間距的直接觀察。

加速電壓范圍

標準模式下為 0.5–30 kV,通過減速技術(shù)可將實際著陸電壓降低至 0.1 kV,顯著減少樣品損傷和電荷積累,適用于非導電材料(如生物樣品、陶瓷)的觀察。

放大倍數(shù)

低倍率(LM)模式:220–25,000×(顯示器輸出),覆蓋大范圍概覽需求。

高倍率(HM)模式:2,200–8,000,000×(顯示器輸出),支持超精細結(jié)構(gòu)的納米級觀察。

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