描述：

1. 平臺與腔體配置

晶圓尺寸:主流支持 4-8 英寸(100-200mm),部分型號(如 Mark II)可兼容 200mm。

腔體類型:

Chamber B:硅基介質(zhì)刻蝕(如 SiO?、SiN?)及碳基材料(光刻膠、聚酰亞胺),選擇性高,保護底層結(jié)構(gòu)。

Chamber C:硅材料刻蝕(如多晶硅),對 SiO?損傷率<0.5%,適用于淺槽隔離(STI)等精密工藝。

MxP/MxP + 腔體:高密度等離子體刻蝕,支持高深寬比結(jié)構(gòu)(如金屬互連),兼容 Al、TiW 等金屬材料。

刻蝕技術:磁增強反應離子刻蝕(MERIE)與反應離子刻蝕(RIE)結(jié)合,等離子體密度達 1011-1012 ions/cm3,射頻偏壓 0-2000V 可調(diào)。

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