描述：

1. 硬件架構(gòu)與晶圓處理

晶圓尺寸:主流支持200mm(部分二手設(shè)備標(biāo)稱可擴(kuò)展至 300mm,但需以原廠配置為準(zhǔn))。

腔體設(shè)計(jì):多腔室模塊化平臺(tái),最多可安裝 6 個(gè)工藝腔體,刻蝕腔體類型包括:

DPS Poly:用于多晶硅刻蝕;

DPS me<x>tal:針對(duì)金屬材料(如鋁、銅)刻蝕;

eMax/Super-E:適用于高深寬比結(jié)構(gòu)(如 3D NAND 存儲(chǔ)孔)刻蝕;

MxP/MxP+:支持高選擇性刻蝕工藝。

傳輸系統(tǒng):

HP Robot(高速機(jī)器人)實(shí)現(xiàn)晶圓快速搬運(yùn);

可選寬體負(fù)載鎖(Wide Body Loadlock)支持薄片或透明片傳送。

2. 工藝能力與材料兼容性

刻蝕類型:

干法等離子體刻蝕(RIE 或 ICP),支持各向異性刻蝕;

分步刻蝕工藝(如光刻膠與介質(zhì)層的選擇性刻蝕)。

此貼長(zhǎng)期有效，聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)說明是從處理網(wǎng)看到的。