描述：

加工能力

晶圓尺寸:支持 φ300mm(12 英寸)晶圓,兼容 φ200mm(8 英寸)及以下尺寸。

材料兼容性:硅晶圓、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等化合物半導體,支持厚度 50-1000μm 的晶圓減薄。

超薄研磨:可實現(xiàn) 100μm 以下的精密減薄,厚度控制精度達 ±1μm,晶圓面內厚度均勻性≤2μm。

機械結構與性能

主軸配置:雙主軸(Z1 和 Z2),功率 4.8kW,轉速范圍 1,000-4,000 min?1,支持高精度研磨。

卡盤工作臺:3 個卡盤(Chuck A/B/C),支持多片晶圓連續(xù)加工,提升效率。

設備尺寸:1,400mm(寬)×3,190mm(深)×1,800mm(高),重量較前代 DFG860 減少 1.0 噸(降低 20%),輕量化設計兼顧穩(wěn)定性。

此貼長期有效，聯(lián)系我時，請說明是從處理網看到的。