描述：

溫度范圍:覆蓋半導(dǎo)體工藝常用區(qū)間,如500–1200°C,支持高溫激活退火(部分型號可達(dá) 1900°C)。

溫度均勻性:通過多點控溫和智能算法,爐內(nèi)溫差可控制在**±1–3°C**。

爐膛尺寸:適配 8–12 英寸晶圓,爐膛有效空間可能為φ200–300mm(直徑)×300–600mm(高度)。

加熱功率:根據(jù)爐膛大小和溫度需求,功率范圍可能在50–200kW之間,采用硅碳棒或鉬合金加熱元件。

控制系統(tǒng):支持 16 段以上程序控溫,具備自整定 PID 或人工智能算法,可存儲多組工藝配方。

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