描述：

溫度范圍:通?？焖偻嘶馉t的最高溫度在 800℃至 1200℃之間,適用于硅基或化合物半導(dǎo)體材料的熱處理。例如,AP-SYSTEM 的 KORONA TM RTP 系統(tǒng)支持 2"至 12" 晶圓處理,推測(cè) 1200P 可能針對(duì)大尺寸晶圓或面板應(yīng)用,最高溫度可能達(dá)到 1200℃以上。

升溫速率:快速退火的關(guān)鍵指標(biāo),典型值為 100-300℃/ 秒,以實(shí)現(xiàn)高效的熱退火過程。

溫度均勻性:在晶圓或基板表面的溫度波動(dòng)通常控制在 ±2-5℃以內(nèi),以確保工藝一致性。

2. 工藝兼容性

晶圓尺寸:可能兼容主流的 12 英寸(300mm)晶圓,或針對(duì) OLED 面板的更大尺寸基板(如 300mm×300mm)。

氣體控制:支持多種工藝氣體(如 N?、Ar、O?)的精確流量控制,用于氧化、退火或摻雜激活等工藝。

真空環(huán)境:部分型號(hào)可能集成真空腔室,支持真空退火或低氧環(huán)境處理。

過溫保護(hù)、氣體泄漏檢測(cè)和緊急斷電功能,符合半導(dǎo)體設(shè)備的安全規(guī)范。

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