描述：

晶圓兼容性

支持 8 英寸(200mm)晶圓的退火工藝,可滿足功率器件、傳感器等半導(dǎo)體元件的摻雜激活、硅化物形成等需求。

溫度控制能力

升溫速率:最高可達(dá) 50℃/ 秒,快速達(dá)到工藝設(shè)定溫度,縮短處理時(shí)間。

降溫速率:最高 30℃/ 秒,通過高效冷卻系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)快速熱循環(huán)。

溫控精度:±1℃,采用閉環(huán)溫控系統(tǒng),結(jié)合紅外加熱技術(shù)實(shí)時(shí)監(jiān)測并調(diào)整溫度,確保穩(wěn)定性。

退火均勻性:晶圓表面溫度均勻性<2%,減少熱應(yīng)力損傷,提升工藝一致性。

加熱與冷卻系統(tǒng)

加熱方式:采用紅外加熱技術(shù),具有加熱速度快、溫度分布均勻的特點(diǎn),可減少傳統(tǒng)加熱方式可能產(chǎn)生的局部過熱問題。

冷卻方式:通過內(nèi)置風(fēng)冷或水冷系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)快速降溫,具體配置需根據(jù)工藝需求定制。

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