描述：

晶圓處理能力

支持 8 英寸(200mm)及 12 英寸(300mm)晶圓。

兼容多種晶圓類型,包括硅、化合物半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝基板。

溫度控制

最高溫度:1200°C。

升溫速率:最高可達(dá) 100°C / 秒,支持毫秒級快速升溫。

降溫速率:60 秒內(nèi)從 1000°C 降至 100°C(部分型號),或 200°C / 分鐘(1000→400°C)。

溫度均勻性:±2°C(3σ)全片晶圓覆蓋,部分文獻(xiàn)提到 ±0.3°C 或 ±0.5% 的溫場精度。

溫度精度:±0.3°C(紅外測溫 + 熱電偶雙重監(jiān)控)。

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