描述：

溫度控制

反應(yīng)室溫度范圍通常為500-1200℃,精度可達(dá) ±1℃。例如,在 GaN 外延生長中,高溫區(qū)(如 1000-1200℃)用于主層沉積,低溫區(qū)(如 500-700℃)用于緩沖層或核層生長。通過分區(qū)加熱模塊和高速旋轉(zhuǎn)載臺(轉(zhuǎn)速可達(dá) 1000rpm),晶圓表面溫度均勻性可控制在 ±1℃以內(nèi)。

氣體流量與壓力

氣體種類:支持金屬有機源(如三甲基鎵 TMGa、三甲基鋁 TMAl)、氫化物(如 NH?、PH?)及載氣(H?、N?)等,最多可配置 6 路獨立氣路。

流量精度:質(zhì)量流量控制器(MFC)精度達(dá) ±1% FS(滿量程),部分高端配置可實現(xiàn) ±0.01 sccm 級控制。

壓力范圍:低壓 MOCVD 模式下,反應(yīng)室壓力通常為10-100 Torr,通過機械泵和分子泵組合實現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控。

薄膜生長特性

生長速率:典型范圍為0.1-5 μm/h,可通過氣體流量和溫度動態(tài)調(diào)整。例如,LED 外延片中的量子阱層需以 50-200 nm/h 的速率沉積,而 GaN 緩沖層可采用更高速率。

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