描述：

束流與能量范圍

束流強(qiáng)度:針對硼離子(B?)等常見摻雜離子,束流強(qiáng)度最高可達(dá)數(shù)毫安(mA)級(jí)別,顯著高于傳統(tǒng)離子注入機(jī)。

能量范圍:覆蓋 0.2 keV 至 60 keV,其中低能段(0.2 keV)可實(shí)現(xiàn)超淺結(jié)(USJ)注入,滿足 28 nm 及以下制程對淺結(jié)深度(<10 nm)的嚴(yán)苛需求。

能量精度:±0.5%,確保摻雜深度的一致性。

劑量控制

劑量范圍:典型劑量范圍為 1×1013 至 5×101? ions/cm2,支持高劑量摻雜(如源漏極擴(kuò)展區(qū))和超低劑量調(diào)整。

均勻性:

劑量均勻性:晶圓全局均勻性達(dá) 0.5%(≥2 keV) 和 1%(<2 keV)。

重復(fù)性:劑量重復(fù)性為 0.7%(≥2 keV) 和 1%(<2 keV)。

晶圓尺寸:支持 300 mm 晶圓,兼容 200 mm 晶圓(需配置適配器)。

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