描述：

關(guān)鍵流程(以 OTFC 系列為例)

裝料與預(yù)抽:放入基板,關(guān)閉腔體,機(jī)械泵抽至低真空。

高真空制備:分子泵 / 擴(kuò)散泵抽至高真空,深冷系統(tǒng)輔助凈化。

基板加熱:升溫至設(shè)定溫度,去除表面水汽。

離子清洗:離子源轟擊基板,清潔表面。

蒸發(fā)沉積:電子束 / 電阻加熱蒸發(fā)膜料,離子輔助成膜,按膜系逐層沉積。

冷卻與破真空:鍍膜完成后冷卻,充入惰性氣體恢復(fù)常壓,出料。

核心優(yōu)勢(shì)

高真空 + 離子輔助:膜層致密、附著力強(qiáng)、光學(xué)損耗低。

高精度控制:納米級(jí)膜厚精度,支持 100 層以上復(fù)雜膜系。

多材料適配:氧化物、金屬、氟化物等均可鍍膜,覆蓋光學(xué)、顯示、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。

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