描述：

1. 基本功能與設(shè)計(jì)

設(shè)備類型:電子束蒸發(fā)系統(tǒng)(PEB 代表電子束蒸發(fā)技術(shù)),適用于光學(xué)薄膜、半導(dǎo)體或材料科學(xué)領(lǐng)域的真空鍍膜應(yīng)用。

品牌歸屬:可能屬于臺(tái)灣富臨科技(FULINTEC),該公司專注于真空鍍膜設(shè)備研發(fā)。

2. 關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)

基片處理能力:支持 2 英寸晶圓,單次處理量可達(dá) 102 片,適合中大規(guī)模生產(chǎn)。

溫度控制:基片加熱范圍為室溫至 300℃,可通過 PLC 或觸摸屏實(shí)現(xiàn)精確調(diào)控。

膜厚均勻性:在 3000?(0.3μm)厚度下,均勻性≤3%,滿足高精度鍍膜需求。

蒸發(fā)材料:兼容多種金屬、氧化物及化合物,例如 SiO?、TiO?、Al、Ag 等。

真空系統(tǒng):雖未直接提及,但同類設(shè)備通常配備分子泵 + 機(jī)械泵組合,極限真空可達(dá)10?? Torr 量級(jí),確保鍍膜環(huán)境純凈。

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