描述：

1. 晶圓處理能力

尺寸范圍:支持 6 英寸(150mm)和 8 英寸(200mm)晶圓。二手設(shè)備市場(chǎng)信息顯示其兼容主流功率器件和射頻芯片的生產(chǎn)需求,但未明確提及 12 英寸(300mm)支持。

處理方式:單晶圓工藝設(shè)計(jì),通過精準(zhǔn)的氣體分流系統(tǒng)和溫度控制實(shí)現(xiàn)單片級(jí)均勻性優(yōu)化。

2. 溫度控制

工作范圍:根據(jù)專利應(yīng)用場(chǎng)景,外延溫度可覆蓋500°C 至 1300°C,典型低溫工藝(如 SiGe 生長(zhǎng))優(yōu)化為 700°C,高溫工藝(如硅外延)可達(dá) 1200°C 以上。

控制精度:溫度穩(wěn)定性達(dá) ±0.5°C,配合高精度傳感器實(shí)現(xiàn)對(duì)材料生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)的精確調(diào)控。

3. 材料生長(zhǎng)性能

外延層厚度:支持超薄(0.1nm/min)至厚膜(1μm/min)生長(zhǎng),覆蓋從原子層沉積到快速生長(zhǎng)的需求。

均勻性:片內(nèi)厚度均勻性控制在 ±1% 以內(nèi),界面平整度和摻雜均勻性表現(xiàn)優(yōu)異,適合對(duì)一致性要求極高的先進(jìn)工藝。

材料兼容性:可生長(zhǎng)硅(Si)、鍺(Ge)、硅鍺(SiGe)等材料,支持選擇性外延(Selective Epitaxy)和非選擇性外延工藝。

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