描述：

1. 光學(xué)與曝光系統(tǒng)

光源:采用 2kW 超高壓汞燈,覆蓋 365nm(i-line)、405nm(h-line)和 436nm(g-line)波長,其中 i-line(365nm)為主要工作波長,適用于需要較高分辨率的光刻工藝。

分辨率:在使用正性光刻膠時,典型分辨率為 1.5μm,可滿足微米級線條的圖形化需求。部分資料提到在特定條件下(如優(yōu)化光刻膠和工藝參數(shù)),分辨率可提升至 0.5μm,但需結(jié)合具體應(yīng)用場景評估。

曝光方式:采用 1x 鏡面投影技術(shù),通過反射鏡系統(tǒng)將掩模圖案直接投射到晶圓上,避免了折射光學(xué)系統(tǒng)的像差問題,適用于高精度對準(zhǔn)和均勻性要求。

2. 晶圓與掩模兼容性

晶圓尺寸:支持 4 英寸、5 英寸和 6 英寸晶圓,兼容不同厚度的硅片或化合物半導(dǎo)體材料(如碳化硅、氮化鎵)。

掩模尺寸:可適配 5 英寸、6 英寸和 7 英寸的矩形掩模,滿足多種設(shè)計規(guī)則的需求。

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