描述：

真空性能

極限真空:高端系統(tǒng)(如 Discovery 系列)可達 5×10?? Torr,基礎(chǔ)型號(如 Explorer 14)為 1×10?? Torr。

工作壓力:

金屬濺射:0.5–5 Pa(氬氣為主)。

氧化物 / 陶瓷濺射:1–10 Pa(氬氧混合)。

動態(tài)真空反饋系統(tǒng)可將壓力波動控制在 ±3% 以內(nèi)。

功率與電源

電源類型:

直流(DC):適用于導(dǎo)電靶材(如 Ti、Au),功率范圍 50–1000 W。

射頻(RF):用于絕緣靶材(如 SiO?),功率 100–500 W。

脈沖直流(Pulsed DC):減少電弧放電,提升薄膜致密度。

功率密度:金屬靶通常為 1–5 W/cm2,陶瓷靶需降低至 0.5–2 W/cm2 以避免過熱。

靶材與基底

靶材尺寸:主流為 3 英寸、4 英寸圓形靶,支持矩形靶定制。

靶基距:80–100 mm(金屬濺射),50–80 mm(高均勻性需求場景)。

基底兼容性:支持 6 英寸以下晶圓,兼容玻璃、硅片、柔性襯底。

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