描述：

1. 光學(xué)與曝光參數(shù)

光源波長(zhǎng):i-line 汞燈(365 nm),適用于分辨率要求較低的工藝(如 0.35 μm 節(jié)點(diǎn))。

數(shù)值孔徑(NA):0.45,配合 i-line 光源實(shí)現(xiàn) ≤350 nm 的分辨率(即 0.35 μm)。

曝光范圍:22 mm × 22 mm,單次曝光可覆蓋較大區(qū)域,提升生產(chǎn)效率。

對(duì)焦精度:多點(diǎn)自動(dòng)對(duì)焦(AF)技術(shù)支持高精度晶圓測(cè)量,焦點(diǎn)重復(fù)性 ≤0.15 μm(3σ)。

2. 晶圓與工藝兼容性

晶圓尺寸:支持 50 mm、100 mm、150 mm、200 mm 晶圓,兼容多種規(guī)格的半導(dǎo)體生產(chǎn)需求。

材料適應(yīng)性:可處理硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等不同材料晶圓,對(duì)晶圓翹曲(Warpage)的容忍度較高。

制程節(jié)點(diǎn):主要用于 0.35 μm 及以上成熟制程,適合功率器件、傳感器等對(duì)分辨率要求相對(duì)較低的產(chǎn)品。

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