95%。劃痕:長度≥100μm,寬度≥0.1μm,深度≥5nm(50?)。凹坑:直徑≥20μm,深度≥5nm(50?)。污漬:直徑≥20μm,厚度≥1nm(10?)。其他缺陷:包括晶體滑移、外延層坑洞、水漬殘留等,可處理超過30…..." />
缺陷類型與尺寸
顆粒:最小檢測尺寸0.08μm PSL 等效,捕獲率 > 95%。
劃痕:長度≥100μm,寬度≥0.1μm,深度≥5nm(50?)。
凹坑:直徑≥20μm,深度≥5nm(50?)。
污漬:直徑≥20μm,厚度≥1nm(10?)。
其他缺陷:包括晶體滑移、外延層坑洞、水漬殘留等,可處理超過30 種缺陷類型。
樣品適應(yīng)性
材料類型:支持硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等不透明基板,以及碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、藍(lán)寶石、玻璃等透明材料。
尺寸范圍:兼容2-8 英寸晶圓,厚度 350-1100μm,邊緣無檢測盲區(qū)。
夾具配置:標(biāo)配 2/3/4 英寸通用夾具,可選 6/8 英寸夾具,支持自動(dòng)平邊對(duì)準(zhǔn)和厚度校準(zhǔn)(650-1100μm)。
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