描述：

晶圓尺寸

參考 SAMCO 其他型號(hào)(如 RIE-330iPC 支持 φ330mm 基板),RIE-3311PC 可能支持12 英寸(300mm)晶圓,適用于大規(guī)模生產(chǎn)場(chǎng)景。部分研發(fā)型設(shè)備可能兼容 6-8 英寸晶圓,但需結(jié)合具體應(yīng)用場(chǎng)景確認(rèn)。

射頻功率

頻率:主流 RIE 設(shè)備通常采用13.56MHz標(biāo)準(zhǔn)射頻頻率。

功率范圍:根據(jù)材料刻蝕需求,功率調(diào)節(jié)范圍可能在200W 至 2000W之間。例如,GaN 刻蝕需較高功率(如 300W 以上),而聚合物或光刻膠去除可能使用較低功率。

氣體系統(tǒng)

支持氣體:常見(jiàn)刻蝕氣體包括SF?、O?、Cl?、CF?、Ar等,可通過(guò)多路質(zhì)量流量控制器(MFC)獨(dú)立調(diào)節(jié)流量,單路流量范圍通常為0-500 sccm。

氣路設(shè)計(jì):可能配備6 路以上氣體通道,滿足復(fù)雜材料刻蝕的多元?dú)怏w配比需求。

真空系統(tǒng)

極限真空:腔體本底真空度可達(dá)1.2×10?2 Pa(約 9×10?? Torr)以上,部分高端設(shè)備可達(dá)到5×10?? Torr。

抽氣速率:配備分子泵機(jī)組,抽速可能在500-620 L/s之間,確保快速達(dá)到工藝真空條件。

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