描述：

晶圓兼容性

標(biāo)準(zhǔn)配置支持 200mm 晶圓(150mm 可選),部分二手設(shè)備標(biāo)稱兼容 300mm 但需以原廠驗證為準(zhǔn)。對于第三代半導(dǎo)體應(yīng)用,可通過定制模塊適配 SiC、GaN 等襯底。

壓力與溫度控制

壓力模式:支持常壓(ATM)與減壓(RP)雙模式。ATM 模式適用于厚膜生長(如功率器件的 150μm 外延層),RP 模式則用于高深寬比填充(如 FinFET 源漏外延)。

溫度區(qū)間:

高溫預(yù)處理階段:1000-1150℃(HCl 刻蝕時的襯底清潔溫度)。

外延生長階段:900-1000℃(Si/SiGe 外延的典型溫度),通過紅外輻射加熱實現(xiàn) ±1℃的晶圓溫度均勻性。

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