描述：

測(cè)量范圍

標(biāo)準(zhǔn)配置覆蓋 0.005 Ω/sq 至 5 MΩ/sq,滿(mǎn)足從高導(dǎo)電金屬薄膜到高阻半導(dǎo)體材料的測(cè)試需求。

支持電阻率(Ω?cm)與方塊電阻(Ω/sq)的直接換算,結(jié)合薄膜厚度可輸出材料電導(dǎo)率等衍生參數(shù)。

測(cè)試方法與精度

采用 四探針接觸法(4PP),通過(guò)恒流源注入電流并測(cè)量電壓降,消除接觸電阻干擾,確保高精度測(cè)量。

測(cè)量精度 <0.1%(標(biāo)準(zhǔn)電阻校準(zhǔn)),重復(fù)性 <0.2%(標(biāo)準(zhǔn)片測(cè)試),長(zhǎng)期穩(wěn)定性通過(guò) NIST 溯源校準(zhǔn)保障。

支持 溫度補(bǔ)償功能(RS55/TC 型號(hào)),可自動(dòng)校正環(huán)境溫度波動(dòng)對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,尤其適用于工藝監(jiān)控中的精確分析。

晶圓兼容性與處理

兼容 2-8 英寸(50-200mm)晶圓,手動(dòng)或半自動(dòng)晶圓承載臺(tái)設(shè)計(jì),支持邊緣修正功能(可測(cè)量距晶圓邊緣 3mm 內(nèi)區(qū)域)。

提供 2D/3D 電阻率圖譜,通過(guò) OmniMap 軟件生成等高線圖、直徑掃描曲線及統(tǒng)計(jì)報(bào)告,直觀反映材料均勻性。

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