描述：

晶圓處理

尺寸兼容性:原生支持 150mm(6 英寸)晶圓,部分配置可通過(guò)硬件升級(jí)兼容 200mm(8 英寸)。

卡盤技術(shù):采用靜電卡盤(ESC),集成氦氣背冷系統(tǒng),電極溫度控制范圍 30–85℃,腔體溫度 20–90℃,確保工藝穩(wěn)定性。

等離子體源

TCP(變壓器耦合等離子體):Top RF 功率 0–1250W(頻率 27MHz),Bottom RF 功率 0–1200W(頻率 13.56MHz),獨(dú)立控制離子密度與能量,支持高深寬比結(jié)構(gòu)刻蝕。

氣體分布:環(huán)形氣體噴頭(Gas Ring)配合 Edge Ring 設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)均勻的等離子體分布,刻蝕均勻性<1%(全晶圓)。

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